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三星今年或将大力推进先进DRAM生产

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据悉,星今三星已经向子公司Semes采购了大量热压(TC)键合机。年或作为生产堆叠DRAM、将大进先进高带宽内存(HBM)以及DDR5等前沿技术所需设备之一,力推这种大型订单预示着三星有望在今年全力拓展先进DRAM产品。星今

消息透露,年或自2023年末起,将大进先进存储芯片价格逐渐上涨;尽管整个行业陷入衰退期,力推受服务器和数据中心应用拉动,星今先进DRAM芯片需求依然稳健。年或而在另一方面,将大进先进NAND闪存需求预计将继续走弱。力推

考虑到TC键合机订单数量庞大,星今据知情人士预测,年或三星还可能扩展订购广达制造的将大进先进Syndion(适用于硅通孔(TSV)蚀刻)及泛林集团的Damascene SABRE 3D设备两款,也主要用于HBM的制备过程。

此外,据相关媒体报道,三星计划提升1a、1bDRAM芯片产能。

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